공과대학 올해의 동문상, 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원 부사장 선정
공과대학이 '올해의 자랑스러운 공과대학 동문'으로 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원 부사장을 선정했다.
11일 오후 학술문화관(E9) 양승택 오디토리움에서 열린 시상식에는 문재균 공과대학장, 이재우 공과대학 부학장, 강준혁 전기및전자공학부 학부장 등이 참석했다.
제7회 KAIST 공과대학 올해의 동문상 수상자로 선정된 차선용 SK하이닉스 미래기술연수원 부사장은 전기및전자공학부에서 학사(1991년), 석사(1995년), 박사(2000년) 학위를 받았다.
차 부사장은 10나노급 D램(DRAM) '테크 플랫폼(Tech.Platform)'을 도입해 SK하이닉스의 D램 발전을 이끈 주역이자 초고속 고대역폭 메모리(HBM2E) 및 고성능 서버에 활용되는 제품(DDR5)을 세계 최초로 상용화한 주인공이다. 특히, 반도체 패권 전쟁 및 경기 침체 등으로 인한 글로벌 대외환경의 악화 속에서도 고대역폭메모리(HBM), 더블데이터레이트(Double Data Rate, DDR), 로우파워 더블 데이터 레이트(Low Power Double Data Rate, LPDDR) 등의 제품개발을 주도해 한국 메모리 경쟁력 강화 및 위상 제고에 크게 기여했다. 2019년 당시 최고속도인 3세대 고대역폭메모리(High Bandwidth Memory2Extended, HBM2E)를 개발해 초고속 메모리의 발전을 주도했을 뿐만 아니라, 2020년 세계 최초로 16GB DDR5(Double Data Rate 5) D램을 출시해 대한민국 반도체 산업이 빅데이터와 서버 시장 우위를 점하는 데 일조했다.
또한, 차 부사장은 기업의 경제적 이익 추구를 넘어서 국내 반도체 산업 생태계에 더 많은 사회적 가치를 창출하는 활동에도 앞장섰다. 다양한 분야의 전문가, 기업, 학계 등과 SK하이닉스의 경계 없는 파트너십을 구축을 위해 미래 반도체 연구 분야와 그간의 연구성과를 공유하는 리서치 웹사이트를 외부에 공개하고 동종업계를 포함한 학계와 긴밀히 소통하며 열린 혁신을 주도하고 있다.
아울러, SK하이닉스의 분석 인프라를 국내 소재·부품·장비 업체와 공유해 반도체 산업 전반의 기술 경쟁력과 역량 향상을 지원하고 있다. 향후, 선제적 기술 협력 강화, 지속 가능 경영을 위한 협력 추진 등을 통해 국내 반도체 생태계 발전을 지속해서 선도할 계획이다. 문재균 공과대학장은 "차선용 부사장이 테크 플랫폼을 도입 및 확장한 공로를 통해 메모리의 한계를 극복하고 초고속 D램을 출시하는 등 혁신적인 제품 개발을 이끌어 학교 명예를 높였기에 공과대학 올해의 동문상 수상자로 선정했다"라고 밝혔다.
차 부사장은 시상식을 마친 후 'AI 컴퓨팅 시대를 선도하는 메모리 혁신의 원동력'이란 주제로 수상기념 강연을 진행했다.공과대학 '올해의 동문상'은 산업기술 발전에 공헌하거나 뛰어난 학문 성취를 통해 학교의 명예를 높인 동문을 선정해 수여하는 상으로 2014년 제정됐다. 2014년 제1회 동문상은 유태경 ㈜루멘스 대표가, 2015년 제2회 수상자로는 넥슨 창업자인 김정주 ㈜NXC 대표, 2017년 제3회에는 이우종 전 LG전자 VC사업본부 사장, 2019년 제4회 수상자로는 임병연 롯데케미칼(주) 대표이사, 2021년 제5회 김형준 한국항공우주산업(주) 부사장, 2022년에는 김한곤 한국수력원자력(주) 중앙연구원장이 각각 선정된 바 있다.
조규형 명예교수, SK하이닉스 산학연구과제 우수발명 최우수상 수상
(사진 설명) 왼쪽부터 세 번째가 박인철 교수, 4번째가 조규형 명예교수
우리대학 조규형 명예교수(전기및전자공학부)가 3월 20일 SK하이닉스가 경기도 이천 본사에서 주관, 시상한 ‘제7회 산학연구과제 우수발명 포상식’에서 최우수상을 수상했다.
SK하이닉스는 산학협력 연구자의 사기 진작과 우수특허 개발 장려를 위해 2013년부터 매년 포상을 진행하고 있는데 이석희 SK하이닉스 대표이사 또한 우리대학 교수로 재직하던 시절 출원한 특허로 제1회 포상에서 최우수상을 받은 바 있다.
올해는 최우수상에는 우리대학 조규형 명예교수가, 우수상에는 한양대 박철진 교수, 장려상에 는 포항공대 김재준 교수를 비롯해 고려대 김선욱 교수, 그리고 우리대학 박인철 교수(전기및전자공학부)가 선정됐다.
최우수상으로 선정된 조규형 명예교수의 ‘기준 전압 생성 회로’에 대한 특허는 반도체 회로에 사용되는 여러 종류의 전압이 공통으로 사용할 수 있는 기준 전압을 생성해 저전력 특성을 강화하는 기술로, 실제 제품에 적용할 수 있는 가능성이 크다는 점에서 좋은 평가를 받았다.
한편 이날 시상식에는 이들 수상자 외에 SK하이닉스 미래기술연구원담당 김진국 부사장, 지속경영담당 신승국 전무, 특허담당 민경현 상무 등이 참석해 성황을 이뤘다.
SK하이닉스와 반도체 인력양성 손잡아
우리대학은 4일 오전 11시 KAIST 본원 제1회의실에서 SK하이닉스와‘반도체 고급인력 육성을 위한 협약’을 체결했다. 이날 협약식에는 강성모 KAIST 총장과 박성욱 SK하이닉스 대표 등 15여명의 관계자가 참석했다.
양 기관은 지난 95년부터 반도체 분야에서 특성화된 인력양성을 위해 KEPSI (KAIST Educational Program for Semiconductor Industry) 프로그램을 운영 중에 있으며, 현재까지 석사 179명, 박사 74명을 배출했다.
KAIST는 이번 협약을 통해 SK하이닉스로부터 장학금 등 교육지원금을 5년 동안 지원받아 반도체 분야의 석․박사급 인력 100명을 맞춤형으로 교육시킬 계획이다.
이번에 체결한 KEPSI 프로그램에서는 기존 전기및전자공학과, 물리학과, 화학과, 생명화학공학과, 신소재공학과 외에 전산학과가 새롭게 참여하여 소프트웨어 분야 인력도 양성하게 된다.
강성모 총장은“지난 20여 년간 반도체 분야에서 세계적인 경쟁력을 유지할 수 있었던 것은 대학과 기업이 맞춤형으로 반도체 고급인력을 양성해 왔기 때문”이라며 “KAIST는 세계 최고의 반도체 인력 양성을 위해 기업과의 맞춤형 프로그램을 지속적으로 확대해 나갈 계획이다 ”라고 말했다. 끝.